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中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)生产线首批芯片试制成功

发布时间:2018-01-30 浏览量:769 来源: 字号:[ ]

伴随着2017年12月初中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业基地技术调试圆满完成的步伐,时代电气半导体事业部的SiC产品开发团队即刻又吹响了产品试制的号角,历经一个多月时间,通过器件设计、工艺开发和工艺流程整合等各个岗位人员的共同奋斗,近日SiC 芯片最后一道终端钝化工艺顺利完成,标志着中车时代电气6英寸SiC 生产线首批芯片试制成功,该生产线具备了完整的SiC 芯片制造生产能力。

时代电气半导体事业部6英寸碳化硅(SiC)生产线是国内首条6英寸SiC 生产线,获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持,是公司的重点投资项目之一。在中国科学院微电子研究所的支持和协助下,半导体事业部SiC 产品开发团队完成了SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,实现SiC 二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V SiC肖特基二极管功率芯片。

中车时代电气于2011年与中科院微电子所成立联合研发中心,正式开展SiC功率半导体器件研究;2013年后,陆续获得国家科技重大专项“02专项”等多项国家重点项目支持;2016年公司自主研发的碳化硅功率模块在轨道交通、光伏逆变器成功进行示范应用;2017年底,6英寸碳化硅(SiC)生产线完成技术调试。此次6英寸SiC芯片试制成功是我国SiC功率半导体器件产业发展的里程碑,是SiC 芯片国产化进程的重要一步,用事实和实力提振了国产宽禁带半导体产业的信心。

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