公司长期坚持自主创新，培养和锻炼了一支学术水平高、经验丰富、具有国际视野的半导体技术团队。以中国工程院院士丁荣军为学术带头人，在新型功率半导体器件的设计、工艺、质量、应用等方面培养了一批具备行业领军能力的科研人员，专业技术人才已经达到500余人，其中博士近40人。

目前，公司建设有新型功率半导体器件仿真设计平台，借助先进的仿真平台并结合测试分析，深入开展器件结构和相关基础理论研究。公司掌握了增强型软穿通（SPT+）IGBT、沟槽栅（Trench）IGBT、SiCSBD、SiCMOSFET、6英寸晶闸管、IGCT关键工艺技术，建设了涵盖IGBT、IGCT、高压大电流晶闸管的全流程工艺能力，构建了SiC中试平台。

公司与中科院微电子所建立了联合研发中心，在英国成立了海外半导体研发中心，借助研发中心平台，紧密追踪国际最新技术发展动态，与多家高校、科研院所开展深度技术合作。公司成功获批为新型功率半导体器件国家重点实验室、国家能源大功率电力电子器件研发中心，牵头成立中国IGBT技术创新与产业联盟，并任联盟理事长单位。

依托接轨国际顶尖水平的技术创新平台，截止目前，公司在功率半导体器件领域，共承担国家、省部级及横向项目共30余项，累计获国拨科研经费4亿元；获国家科技进步奖、湖南省科技发明奖、中国电子学会科技进步奖、中国电工技术学会科学技术奖等国家、省部级奖5项；申请发明专利114项，其中授权专利26项；在国内外核心学术期刊及会议上发表了47篇学术论文，取得了丰硕的科技成果。