新型功率半导体器件国家重点实验室

新型功率半导体器件国家重点实验室于2015年9月获国家科技部批准,依托株洲中车时代电气股份有限公司建设。实验室坚持以重大战略需求为导向,基于新型功率半导体技术发展及其应用需求,开展器件基础理论、前沿共性技术及其应用可靠性研究,支撑我国IGBT、SiC等新型功率半导体器件技术的原始创新,抢占技术制高点;开展持续深入的系统性研究,加强产学研合作,推动先进和前沿技术的转化,在功率半导体行业技术进步中发挥引领、示范和辐射带动作用。

愿景   成为世界一流的功率半导体技术创新中心

使命   突破关键技术、研发核心器件、培养一流人才、引领行业发展

创新团队  院士领航,凝聚高学历、多学科人才梯队;

博士骨干,探索前沿共性技术;

海外基地,培育国际研发团队;

国家团队,入选国家创新人才推进计划。

核心能力

仿真设计
基于Silvaco, Snopsys, Ansys的芯片、封装电、热、机械、电磁协同仿真能力;
工艺实验
8英寸0.35微米IGBT芯片、器件封装成套工艺;6英寸高压晶闸管、IGCT成套工艺;6英寸SiC器件成套工艺;
检测试验
6500V及以下功率等级IGBT、12000V及以下功率等级晶闸管、6000V及以下功率等级IGCT的测试及全套型式试验能力;
应用支撑
基于轨道交通、电力系统、电动汽车、新能源、工业变流应用技术平台。