发展历程
2016

自主1700V IGBT中标印度机车市场,中国"自主芯"首次出口海外

中标酒泉-湖南、上海庙-山东、淮东-淮南、巴西美丽山等多个(特)高压直流输电项目

2015

自主1500A/3300V IGBT在厦门柔性直流输电科技示范工程成功挂网应用

新型功率半导体器件国家重点实验室获准建设

2014

IGBT产业化基地建成投产,实现IGBT芯片国产化

国家能源大功率电力电子器件研发中心通过专业评审

牵头成立中国IGBT技术创新与产业联盟

2013

8英寸IGBT产业化基地调试运行

2012

中标哈密-郑州特高压直流输电(UHVDC)项目

2011

SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化获国家亿元资金支持

2010

在英国成立功率半导体海外研发中心

自主IGBT产品进入地铁和机车牵引传动市场

2009

6英寸器件生产线、国内首条高压IGBT模块封装线建成投产

2008

并购丹尼克斯(Dynex)电力电子股份有限公司

6英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(河南灵宝)

2007

5英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(辽宁高岭)

2006

成功研制出世界上第一只6英寸8500V商用HVDC晶闸管

2005

5英寸器件生产线建成

机车领域全面采用5英寸器件

2002

4英寸全压接器件全面推向电解铝领域

2000

全压接器件批量推向市场

建成4英寸全压接生产线

1999

产品开始批量出口美国

1989

建成3英寸器件生产线

1985

引进美国西屋公司烧结工艺技术

1968

开发出300/500A硅二极管,"硅改"成功

1964

开始研发大功率半导体器件技术

备注:①硅改:在电力机车变流中,用硅整流代替汞引燃整流器,俗称“硅改”。